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厂商型号

1N6124A 

产品描述

Diode TVS Single Bi-Dir 42.6V 500W 2-Pin Case E

内部编号

253-1N6124A

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:8
1+¥118.8149
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1N6124A产品详细规格

规格书 1N6124A datasheet 规格书
1N6103A-1N6137A
XPackage 2E-Line
包装 2Case E
配置 Single
方向类型 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散 500 W
最大峰值脉冲电流 6.5 A
最大反向漏泄电流 1 uA
最大钳位电压 77 V
最大反向防区外电压 42.6 V
最小击穿电压 53.2 V
测试电流 20 mA
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
抗辐射 Yes
标准包装 Bulk
供应商封装形式 Case E
标准包装名称 Case E
最高工作温度 175
最小击穿电压 53.2
最大反向漏泄电流 1
最大钳位电压 77
Maximum Reverse Stand-Off Voltage 42.6
每个芯片的元件数 1
最大峰值脉冲电流 6.5
最低工作温度 -55
测试电流 20
引脚数 2
峰值脉冲功率耗散 500
封装 Bulk
电压 - 钳位(最大) @ IPP 77V
安装类型 Through Hole
双向通道数 1
封装/外壳 B, Axial
供应商设备封装 Axial
电压 - 击穿(最小值) 53.2V
电压 - 反向隔离(标准值) 42.6V
应用范围 General Purpose
电源线保护 No
功率 - 峰值脉冲 500W
类型 Zener
电流 - 峰值脉冲( 10/1000μS ) 6.5A
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
钳位电压 77 V
漏电流(最大) 0.001 uA
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 E
极性 Bi-Directional
元件数 1
工作温度分类 Military
反向击穿电压 53.2 V
峰值脉冲电流 6.5 A
反向断态电压 42.6 V
测试电流(It ) 20 mA
弧度硬化 Yes
工厂包装数量 100
品牌 Microsemi
RoHS No

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